BZW04-5V8 ... BZW04-376B
BZW04-5V8 ... BZW04-376B
Transient Voltage Suppressor Diodes
Spannungs-Begrenzer-Dioden
PPPM = 400W
PM(AV) = 1.0 W
Tjmax = 175°C
VWM = 5.0 ... 376 V
VBR = 6.8 ... 440 V
Version 2016-11-23
~DO-15 / ~DO-204AC
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung 1)
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 400 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
400 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack 4000 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx. 0.4 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
PPPM 400 W 3)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
TA = 75°C PM(AV) 1 W 4)
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
IFSM 40 A 5)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Characteristics Kennwerte
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
IF = 25 A
Tj = 25°C
VBR ≤ 200 V
VBR > 200 V
VF
VF
< 3.0 V 5)
< 6.5 V 5)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA <45 K/W
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht
RthL <15 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
5 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 0.8
±0.05
Ø 3
±0.05
62.5
+0.5
6.3
±0.1
-4.5
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
BZW04-5V8 ... BZW04-376B
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Type
Typ
unidirectional bidirectional
Stand-off
voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Breakdown voltage at IT = 1 mA
Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA
*) at / bei IT = 10 mA
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (10/1000 µs)
VWM [V] ID [µA] VBR [V] VC [V] IPPM [A]
BZW04-5V8
BZW04-5V8B
5.8
1000
6.8 ± 5%
6.45...7.14 *)
38.0
BZW04-6V4
BZW04-6V4B
6.4
500
7.5 ± 5%
7.13...7.88 *)
35.4
BZW04-7V0
BZW04-7V0B
7.02
200
8.2 ± 5%
7.79...8.61 *)
33.0
BZW04-7V8
BZW04-7V8B
7.78
50
9.1 ± 5%
8.65...9.55
30.0
BZW04-8V5
BZW04-8V5B
8.55
10
10 ± 5%
9.5...10.5
27.6
BZW04-9V4
BZW04-9V4B
9.4
5
11 ± 5%
10.5...11.6
25,7
BZW04-10
BZW04-10B
10.2
5
12 ± 5%
11.4...12.6
24.0
BZW04-11
BZW04-11B
11.1
5
13 ± 5%
12.4...13.7
22.0
BZW04-13
BZW04-13B
12.8
5
15 ± 5%
14.3...15.8
19.0
BZW04-14
BZW04-14B
13.6
5
16 ± 5%
15.2...16.8
17.8
BZW04-15
BZW04-15B
15.3
5
18 ± 5%
17.1...18.9
16.0
BZW04-17
BZW04-17B
17.1
5
20 ± 5%
19.0...21.0
14.5
BZW04-19
BZW04-19B
18.8
5
22 ± 5%
20.9...23.1
13.0
BZW04-20
BZW04-20B
20.5
5
24 ± 5%
22.8...25.2
12.0
BZW04-23
BZW04-23B
23.1
5
27 ± 5%
25.7...28.4
10.7
BZW04-26
BZW04-26B
25.6
5
30 ± 5%
28.5...31.5
9.6
BZW04-28
BZW04-28B
28.2
5
33 ± 5%
31.4...34.7
8.8
BZW04-31
BZW04-31B
30.8
5
36 ± 5%
34.2...37.8
8.0
BZW04-33
BZW04-33B
33.3
5
39 ± 5%
37.1...41.0
7.4
BZW04-37
BZW04-37B
36.8
5
43 ± 5%
40.9...45.2
6.7
BZW04-40
BZW04-40B
40.2
5
47 ± 5%
44.7...49.4
6.2
BZW04-44
BZW04-44B
43.6
5
51 ± 5%
48.5...53.6
5.7
BZW04-48
BZW04-48B
47.8
5
56 ± 5%
53.2...58.8
5.2
BZW04-53
BZW04-53B
53.0
5
62 ± 5%
58.9...65.1
4.7
BZW04-58
BZW04-58B
58.1
5
68 ± 5%
64.6...71.4
4.3
BZW04-64
BZW04-64B
64.1
5
75 ± 5%
71.3...78.8
3.9
BZW04-70
BZW04-70B
70.1
5
82 ± 5%
77.9...86.1
3.5
BZW04-78
BZW04-78B
77.8
5
91 ± 5%
86.5...95.5
3.2
BZW04-85
BZW04-85B
85.8
5
100 ± 5%
95.0...105
2.9
BZW04-94
BZW04-94B
94.0
5
110 ± 5%
105...116
2.6
BZW04-102
BZW04-102B
102
5
120 ± 5%
114...126
2.4
BZW04-111
BZW04-111B
111
5
130 ± 5%
124...137
2.2
BZW04-128
BZW04-128B
128
5
150 ± 5%
143...158
2.0
BZW04-136
BZW04-136B
136
5
160 ± 5%
152...168
1.8
BZW04-145
BZW04-145B
145
5
170 ± 5%
162...179
1.7
BZW04-154
BZW04-154B
154
5
180 ± 5%
171...189
1.6
BZW04-171
BZW04-171B
171
5
200 ± 5%
190...210
1.5
BZW04-188
BZW04-188B
188
5
220 ± 5%
209...231
1.4
BZW04-213
BZW04-213B
213
5
250 ± 5%
237...263
1.3
BZW04-239
BZW04-239B
239
5
280 ± 5%
266...294
1.2
BZW04-256
BZW04-256B
256
5
300 ± 5%
285...315
1.1
BZW04-273
BZW04-273B
273
5
320 ± 5%
304...336
1.0
BZW04-299
BZW04-299B
299
5
350 ± 5%
332...368
0.9
BZW04-342
BZW04-342B
342
5
400 ± 5%
380...420
0.9
BZW04-376
BZW04-376B
376
5
440 ± 5%
418...462
0.8
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
BZW04-5V8 ... BZW04-376B
1
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
I
PP
P
PP
100
80
60
40
20
00 1 2 3 4[ms]
[%]
t
P
I /2
PPM
P /2
PPM
t = 10 µs
r
10
10
1
0.1
2
[kW]
P
PP
0.1µs t 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms
P
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
M(AV)
Steady state power dissip. vs. ambient temperature )
Dauer-Verlustleistung in Abh. v. d. Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0