e | e e | d e silicon signal diodes sr diodes de signal au silicium THOMSON-CSF Type Vr-Vam lo | Ve / lg IR / Vr in / Vr c tr / Ig Case max max {max max max max | max (Vv) (mA) ] (V) (mA) | (nA) (V) | GA) {v) (pF) [us ) (mA) low leakage Tamb = 25C faible courant de fuite 1N 458A 125 5 1N 3595 125 8 3 10 1N 3595 E 1 125 8 3 10 1N 3595 E2 125 8 3 10 1N 3595 E3 425 8 3 10 DO 7* 1N 3595 S 125 8 3 10 (CB-26} * Available on request in CB-127 case. Designation ; 1N...DHD or BA...DHD. * Livrable sur demande en boitier CB-127. Appellation commerciale : 1N...DHD ou BA...DHD. Type Vr-Vaw | Jt | Warm | Ve / te Ip /VrRi Cc ter / Ig Case max max [| max max max | max Vv) tmA)] (mJ) (V) (mA) ] (nA) (V) | (pF) | ins) = (mA) switching (avalanche types) Tamb = 25C commutation (types a avalanche) BAW21A 5 (125 400 | 100 70435 | 300 30 BAW 21B 5 1,25 400 100 90 | 35 300 30 AABAX 12 5 1,25 400 100 90 |. 35 50 30 @ABAX 14 1,1 300 100 20 | 35 50 30 DO 35 Devices under CCO/CCT _ Devices under CCQ/CECC (CB-102) * Dispositits soumis au CCQ/CCT * Dispositifs soumis au CCQ/CECC Type Va-Vam {| lo Ve / le | In Vr] tr / VR I C [ter / JF Case Tamb 150C max max | max max max max | max (v) (mA) | (V) (mA) (nA) (V) | GA) (V) | (pF) | (ns) | (mA) high current switching Tamb = 25C commutation fort courant Pee 1N 3600 1 200 100 50 7100 50 2,5 BAY 41 1 200 75000 40 | 30 40 5 BAY 42 1 200 $5000 60 | 30(2) 60 5 . BAY 74 1,1 300] 100 35 |100 = 35s 3 (c8-26) SFD 79 1,1 10 11000 25 } 50 (2) 10 4 41N 4150 1 200 | 100 50 4100 50 2,5 37 DPS 1,1. 400 100 60 4100 (2) 60 3 BAW 55 1 200 100 60 4 (I * Available on request in CB-127 case. CB-127 F _ Devices under CCO/CECC - Designation : 1N...DHD or BA..,DHD. = * Di tif is CCOQ/CECC *Livrable sur demande en boitier CB-127. (2) Tamb = 100C SPOS SOUS Appellation commerciale : 1N...DHD ou BA...DHD. 80