P1200A ... P1200G
P1200A ... P1200G
Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2012-10-01
Dimensions - Maße [mm]
Nominal Current
Nennstrom
12 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
P600 Style
Weight approx.
Gewicht ca.
1.3 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
P1200A 50 50
P1200B 100 100
P1200D 200 200
P1200G 400 400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C IFAV 12 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 80 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 400/450 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 800 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
at reduced reverse voltage
bei reduzierter Sperrspannung
VR ≤ 80% VRRM
VR ≤ 20% VRRM
Tj
Tj
-50...+150°C
-50...+200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø
±0.05
1.2
Ø
±0.1
8
7,5
±0.1
62.5
±0.5
P1200A ... P1200G
Characteristics Kennwerte
Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 12 A
VF
VF
< 0.84 V
< 0.95 V
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 10 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 10 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL < 2 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Vr < 80% Vrrm
Vr < 20% Vrrm
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
400a-(5a-0,8v)
