BAW56
BAW56
Surface Mount Small Si gn al D o u bl e-Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-07-11
Dimensions - Maße [mm]
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Power dissipation – Verlustleistung 310 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
85 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode BAW56
Power dissipation − Verlustleistung 1)P
tot 310 mW 2)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 250 mA 2)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 450 mA 2)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
IFSM
0.5 A
1 A
2 A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 85 V
Reverse voltage – Sperrspannung (dc) VR70 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VF
VF
VF
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Leakage current 3)
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = 70 V IR< 100 nA
Tj = 150°C
Tj = 150°C
VR = 25 V
VR = 70 V
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2.5 max
1.3
±0.1
1.1
0.4
2.9
±0.1
12
3
Type
Code
1.9
BAW56
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT1.5 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr < 6 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 400 K/W 1)
Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung
Double diode, common anode
Doppeldiode, gemeinsame Anode
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
BAW56 = A1 or/oder JD
Other available configurations – Andere lieferbare Konfigurationen
Single diode – einzelne Diode BAL99
Double diode, series connection – Doppeldiode, Reihenschaltung BAV99
Double diode, common cathode – Doppeldiode, gemeinsame Kathode BAV70
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
2
1
3