BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M
BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M
Fast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit schnellem Sperrverzug
IFAV = 3 A
VF< 1.2 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 100...1000 V
IFSM = 100/110 A
trr < 500 ns
Version 2015-11-19
~ DO-201
Dimensions - Maße [mm]
Typical Application
Rectification of medium frequencies,
Snubber or Bootstrap diodes
Commercial grade 1)
Typische Anwendung
Gleichrichtung mittlerer Frequenzen
Beschaltungs- oder Bootstrapdioden
Standardausführung 1)
Features
High forward surge current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheit
Hohe Stoßstromfestigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack 1.700 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx. 1 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
BY396 100 100
BY397 200 200
BY398 400 400
BY399 = RGP30K 800 800
RGP30M 1000 1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C IFAV 3 A 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 20 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 100/110 A
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 50 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 1.2
±0.05
Ø 4.5
62.5
±0.5
7.5
±0.1
+0.1
-
0.3
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 3 A VF< 1.2 V
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 5 µA
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
VR = 4 V Cj15 pF
Forward recovery time
Durchlassverzugszeit
IF = 100 mA tfr < 1.0 µs
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr < 500 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 25 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL < 10 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
100a-(3a-1.2v)
