BAT54WS BAT54WS IFAV = 200 mA VF1 < 0.24 V Tjmax = 150C SMD Small Signal Schottky Diodes SMD Kleinsignal-Schottky-Dioden VRRM = 30 V IFSM = 600 mA trr < 6 ns Version 2017-01-12 Typical Applications Signal processing, High-speed switching, Polarity protection Commercial grade 1) 0.1 1.25 Type Code 2.50.2 Dimensions - Mae [mm] Type code = S1 Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschicht-Kapazitat Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 0.3 0.1 10.1 1.70.1 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Verpolschutz Standardausfuhrung 1) EL V SOD-323F Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7" Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.005 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL = 1 These diodes are available in alternative case outlines Diese Dioden sind in alternativen Gehauseformen lieferbar SOT-23 SOT-323 = BAT54 = BAT54W Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation - Verlustleistung Ptot 230 mW 3) Max. average forward current - Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 3) Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 3) IFSM 600 mA VRRM 30 V Tj TS -55...+150C -55...+150C Non repetitive peak forward surge current - Stostrom-Grenzwert tp 10 ms Repetitive peak reverse voltage - Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current - Sperrstrom 4) Max. junction capacitance - Max. Sperrschichtkapazitat Reverse recovery time Sperrverzug Tj = 25C IF = IF = IF = IF = IF = Tj = 25C VR = 25 V VR = 0 V, f = 1 MHz IF = 10 mA uber/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1 2 3 4 0.1 mA 1 mA 10 mA 30 mA 100 mA VF < < < < < 240 320 400 500 800 mV mV mV mV mV IR < 2 A CT 10 pF trr < 6 ns RthA < 400 K/W 3) Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C unless otherwise specified - TA = 25C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% - Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2% (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAT54WS 1 120 [%] [A] 100 10 -1 80 10-2 60 40 10-3 IF 20 Ptot 0 Tj = 25C -4 10 0 TA 50 100 150 [C] VF 0 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 3 10 [A] Tj = 125C 10 2 Tj = 100C 10 Tj = 75C Tj = 50C 1 Tj = 25C IR -1 10 1 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) u. Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG