BAT54WS
BAT54WS
SMD Small Signal Schottky Diodes
SMD Kleinsignal-Schottky-Dioden
IFAV = 200 mA
VF1 < 0.24 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 30 V
IFSM = 600 mA
trr < 6 ns
Version 2017-01-12
SOD-323F
Dimensions - Maße [mm]
Type code = S1
Typical Applications
Signal processing, High-speed
switching, Polarity protection
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Verpolschutz
Standardausführung 1)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.005 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
These diodes are available in alternative case outlines
Diese Dioden sind in alternativen Gehäuseformen lieferbar
SOT-23 = BAT54
SOT-323 = BAT54W
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Power dissipation − Verlustleistung Ptot 230 mW 3)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 3)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 3)
Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 10 ms IFSM 600 mA
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 30 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 0.1 mA
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 30 mA
IF = 100 mA
VF
< 240 mV
< 320 mV
< 400 mV
< 500 mV
< 800 mV
Leakage current – Sperrstrom 4) Tj = 25°C VR = 25 V IR< 2 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT10 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA über/through
IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 6 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 400 K/W 3)
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
4 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
1.25
±0.1
0.3
±0.1
1
±0.1
2.5
±0.2
Type
Code
1.7
±0.1
BAT54WS
1
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
10
10
10
1
10
3
-1
2
[µA]
I
R
0V
RRM
40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 125°C
j
T = 75°C
j
T = 100°C
j
T = 50°C
j
