Transistors NPN germanium NPN germanium transistors *2N 1304 *2N 1306 *2N 1308 - Usage gnral et commutation General purpose and switching - Transistors compimentaires * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features Complementary transistors V 25V NPN PNP CEO 2N 1304 ~ 2N 1305 c 300 mA 2N 1306 2N 1307 Veesatl10 mA) 0,2 Vmax. 2N 1308 2N 1309 Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation P, hy7_ (10 mA) 2N 1306 60-300 2N 1304 40-200 2N 1308 80 min. fot 200 130 100 50 0 20 40 60 80 100 tambl?c) Boitier TO-39 Case O / B La base est relie au boitier Base is connected to case Segxesenn Valeurs limites absolues d'utilisation a tamy= 25C Absolute ratings (limiting values) Tension cglleteur-base Veao 25 v Tension gmetteur-base Veo 25 v Courant collecteur lc 300 mA Pissipation de puissance Prot 150 mw Temprature de jonetion max. i 85 c Temprature de stockage min. t ~ 65 C Storage temperature max. stg +100 1970-04 1/72N 1304 * 2N 1306 * 2N 1308 * Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics \e =0 f = 1MHz Courant rsiduel collecteur-base Collector-base cut-off current Ves =25V IcBo 3 6 uA I =0 Courant rsidue! metteur-base c Ie 2 6 HA Emitter-base cut-off current Ves =25V EBO 2N 1304 20 Tension de pntration Punch-through voltage 2N 1306 Vot 15 v 2N 1308 15 i 10 mA 2N 1304 40 200 =10m v Vy 2N 1306 60 300 Valeur statique du rapport de transfert cE 2N 1308 80 160 direct du courant hoy E Static forward current transfer ratio 2N 1304 15 Ie = 200 mA 2N 1306 20 Vag = 0,35 CE Van 1308 20 le =10mA 2N 1304 0,1 2 ig = 0,25 mA 0 Tension de saturation collecteur-metteur Ic = 10mA 2nN 1306] Ve 0.1 02 Vv Collector-emitter saturation voltage Ig = 0,17 mA CEsat . " Io =10mA 2N 13 0,1 0,2 'p = 0,13 mA 08 Tension de saturation base-metteur Ig = 10mA v 0.15 035! v 8ase-emitter saturation voltage Ig =05mA BEsat ' ' Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Oynamic characteristics (for small signals} ' 1mA 2N 1304 5 15 Frquence de coupure Ee =T7im Cut-uft frequency v =5V 2N 1306 fhaib 10 20 MHz cB 2N 1308 15 | 25 Vep=5V Capacit de sortie _ . Qutout capacitance le =0 C22b i2 20 pF 2/7*2N 1304 * 2N 1306 * 2N 1308 Caractristiques gnrales a tamb = General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics 25C Min. | Typ. | Max. 2N 1304 700 Charge stocke Suivant schma Stored charge See circuit 2N 1306 95 600 pe 2N 1308 Schma de mesure de la charge stocke Stored charge test circuit A Ye 4 6Vv c, t Lv AQT rr 9 4 5.6 ko A 560 2 le WW he Oscilloscope Oscilloscope a Yo ev + ~ bet _ ] Oo : O At =0,2 ys max, Mesure : Measure C, est auament jusqu Ace que At = 0,2 us. Alors Q, iC, is increased till At = 0,2 ys. Then Q ey V, G , 5= 1 -VG 3/72N 1304 * 2N 1306 * 2N 1308 * Caractristiques statiques Static characteristics Montage en metteur commun (mesures en impulsions) Common emitter circuit {pulse tests} tamb =25C 2N 1304 Iaima) IqimA) 45 250 _ a 30 4 200 ot a 204 150}. 400 10 50 o 0 02 O4 D6 O8 Vee (v} 2N 1306 1.(mA) (mA) c aa c we - 250 30 ed | 200 4S 20 > 2 150 a | or te 100 10 a bl = 005mA | 30 0 0 5 10 15 Vog (V) 2N 1308 Ima) IS IgimA) mea 250 30 }- SS b> a 200 on 20 150 | 9.06: 100 10 ftp = 9.04 mA 50 0 . 0 5 10 18 Vog (VI 0204 06 08 Vee tv) aly*2N 1304 *2N 1306 *2N 1308 Caractristiques statiques Static characteristics Montage en metteur commun fommon emitter circuit {mesures en imputsions) {pulse tests} Veg=1V 2N 1304 Vae {V) 2N O68 04 0.2 0 0 30. 100 150 250 Ie 50.100 14 200 Vq (ma) 2N 1306 Var (Vb BE - IN 1306 ot - eG 0.4|- eo 4+ tx 0.2 f | | | 50 100-150 200250 1, ima) 2N 1308 Vee) 2N 1308 ; pe tS 0.4 4 ee | 4 FOO Lee 0,2 ca 9 $0. 100 150 200 250 Ic (mal 5/72N 1304 * 2N 1306 * 2N 1308 * Caractristiques statiques Static characteristics (mesures en impulsicns) {pulse tests) 2N 1304 Voesat ) VBEsat (vb 0.20F pe 0.80 ~ c = Sef 0.45 py $e 0.60 a ot Lae Oo, a oi |r ot Sesh = |__| i 0S te - 4 0.20} |__| |__| __ . 1c =4Olg Ve = 101g 0 30. 100 150 200 250 ig (ma) 0 50 100-150-200 250 Ig ima) 2N 1306 Vecesat Veesat VI 9. 0.80 O41 0 0. 0. 0.0 0 tg (ma) 2N 1308 Vegsat Y) Vpesat 'V) 0,20 015 0,10) 0, 0.0 0.20 c {mA) 6/7*2N 1304 *2N 1306 * 2N 1308 Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals) tamb =25C 2N 1304 Coa (pF) 1 Veg (V} 2N 1306 a + (MHz) [ (pF) 1 (v) 2N 1308 (v) 7/7