Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
August, 2003 − Rev. 5 1Publication Order Number:
2N6040/D
(PNP) 2N6040, 2N6042,
(NPN) 2N6043*, 2N6045*
*Preferred Device
Plastic Medium−Power
Complementary Silicon
Transistors
. . . designed for general−purpose amplifier and low−speed
switching applications.
•High DC Current Gain −
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
•Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 100 mAdc −
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 2N6040, 2N6043
= 100 Vdc (Min) − 2N6042, 2N6045
•Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc − 2N6043,44
= 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc − 2N6042,
2N6045
•Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
•EPOXY MEETS UL 94, V−0 @ 0.125 in
•ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V
Machine Model, C > 400 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (Note 1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N6040
2N6043
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N6042
2N6045
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter−Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current− Continuous
Peak
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
8.0
16
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
120
ÎÎ
ÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25°C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
75
0.60
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
W
W/°C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction,
Temperature Range
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
°C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to
Case
ÎÎÎ
ÎÎÎ
JC
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.67
ÎÎ
ÎÎ
°C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to
Ambient
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
JA
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
57
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
°C/W
1. Indicates JEDEC Registered Data.
4
123
TO−220AB
CASE 221A−09
Style 1
MARKING
DIAGRAM
xxxx = Specific Device Code:
6040, 6042, 6043, 6045
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
AYWW
2Nxxxx
http://onsemi.com
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
DARLINGTON, 8 A
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
60 V − 100 V, 75 W
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
2N6040 TO−220AB 50 Units / Rail
2N6042 TO−220AB 50 Units / Rail
2N6043 TO−220AB
2N6045 TO−220AB 50 Units / Rail
50 Units / Rail
*Preferred devices are recommended choices for future
use and best overall value.
(PNP) 2N6040, 2N6042, (NPN) 2N6043*, 2N6045*
http://onsemi.com
2
80
00 20 40 60 80 100 120 160
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (°C)
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
40
20
60
140
TC
4.0
0
2.0
1.0
3.0
TA
TA
TC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6040, 2N6043
2N6042, 2N6045
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
60
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6040, 2N6043
(VCE = 100 Vdc, IB = 0) 2N6042, 2N6045
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
20
20
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6040, 2N6043
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6042, 2N6045
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150°C) 2N6040, 2N6043
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150°C) 2N6041, 2N6044
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150°C) 2N6042, 2N6045
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEX
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
20
20
200
200
200
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N6040, 2N6043
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) 2N6042, 2N6045
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
20
20
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6040, 2N6043,
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6042, 2N6045
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) All Types
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1000
1000
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
20.000
20,000
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Saturation Voltage
(IC = 4.0 Adc, IB = 16 mAdc) 2N6040, 2N6043,
(IC = 3.0 Adc, IB = 12 mAdc) 2N6042, 2N6045
(IC = 8.0 Adc, IB = 80 Adc) All Types
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
2.0
4.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 8.0 Adc, IB = 80 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VBE(sat)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
4.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter On Voltage (IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.8
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small Signal Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
|hfe|
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Capacitance 2N6040/2N6042
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6043/2N6045
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Cob
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
300
200
ÎÎÎ
ÎÎÎ
pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small−Signal Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
ÎÎÎ
300
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
*Indicates JEDEC Registered Data.
(PNP) 2N6040, 2N6042, (NPN) 2N6043*, 2N6045*
http://onsemi.com
3
Figure 2. Switching Times Equivalent Circuit
5.0
0.1
Figure 3. Switching Times
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t, TIME (s)µ
2.0
1.0
0.5
0.05 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 1
0
0.3
0.7
tf
tr
ts
td @ VBE(off) = 0 V
V2
approx
+8.0 V
V1
approx
−12 V
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
25 s
0
RB
51 D1
+4.0 V
VCC
−30 V
RC
TUT
≈ 8.0 k ≈120
SCOPE
for td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0
For NPN test circuit reverse all polarities and D1.
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
3.0
0.2
0.1
0.07
5.0 7.0
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
PNP
NPN
Figure 4. Thermal Response
t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)
1.0
0.01
0.01
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT
THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 100
0
500
JC(t) = r(t) JC
JC = 1.67°C/W
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) − TC = P(pk) JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.1
0.7
0.3
0.07
0.03
0.02 0.03 0.3 3.0 30 300
SINGLE PULSE 0.01
20
1.0
Figure 5. Active−Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
5.0
2.0
1.0
0.02 2.0 3.0 7.0 50 100
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
(SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
70
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
TJ = 150°C
dc
1.0ms
100 s
0.5
0.2
0.05
5.0
2N6040, 2N6043
2N6045
0.1
10 20 30
500 s
5.0ms
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC − VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150°C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
< 150°C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
(PNP) 2N6040, 2N6042, (NPN) 2N6043*, 2N6045*
http://onsemi.com
4
300
Figure 6. Small−Signal Current Gain
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
30 0.5 1.0 2.0 1005.00.1 0.2
C, CAPACITANCE (pF)
200
70
50
TJ = 25°C
Cib
100
Cob
PNP
NPN
10,000
1.0
Figure 7. Capacitance
f, FREQUENCY (kHz)
10 2.0 5.0 20 50 100010010 10 20
hfe, SMALL−SIGNAL CURRENT GAIN
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
200 500
PNP
NPN
TC = 25°C
VCE = 4.0 Vdc
IC = 3.0 Adc
50
(PNP) 2N6040, 2N6042, (NPN) 2N6043*, 2N6045*
http://onsemi.com
5
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
20,000
0.1
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 10
hFE, DC CURRENT GAIN
0.7 7.0
PNP
2N6040, 2N6042 NPN
2N6043, 2N6045
Figure 9. Collector Saturation Region
3.0
0.3
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0 0.5 1.0 2.0 10 30
1.8
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
4.0 A
2.2
2.6
0.7 5.0
3.0
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 3.0 10
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
V, VOLTAGE (VOLTS)
VBE @ VCE = 4.0 V
2.0
10,000
TJ = 150°C
25°C
−55 °C
20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
hFE, DC CURRENT GAIN
VCE = 4.0 V
TJ = 150°C
25°C
−55 °C
1.4
6.0 A
IB, BASE CURRENT (mA)
TJ = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V, VOLTAGE (VOLTS)
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
3.0 5.0
VCE = 4.0 V
20,000
0.1
200 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 100.7 7.0
10,000
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
3.0 5.0
3.0 7.0
IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
3.0
0.3
1.0 0.5 1.0 2.0 10 30
1.8
2.2
2.6
0.7 5.0 20
1.4
3.0 7.0
7.05.0
3.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 3.0 10
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5 2.0 7.05.0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
Figure 10. “On” Voltages
(PNP) 2N6040, 2N6042, (NPN) 2N6043*, 2N6045*
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A−09
ISSUE AA
TO−220AB
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.570 0.620 14.48 15.75
B0.380 0.405 9.66 10.28
C0.160 0.190 4.07 4.82
D0.025 0.035 0.64 0.88
F0.142 0.147 3.61 3.73
G0.095 0.105 2.42 2.66
H0.110 0.155 2.80 3.93
J0.018 0.025 0.46 0.64
K0.500 0.562 12.70 14.27
L0.045 0.060 1.15 1.52
N0.190 0.210 4.83 5.33
Q0.100 0.120 2.54 3.04
R0.080 0.110 2.04 2.79
S0.045 0.055 1.15 1.39
T0.235 0.255 5.97 6.47
U0.000 0.050 0.00 1.27
V0.045 −−− 1.15 −−−
Z−−− 0.080 −−− 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
SEATING
PLANE
−T−
C
S
T
U
R
J
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, af filiates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051
Phone: 81−3−5773−3850
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
2N6040/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada
