Silizium-Planar-Doppeldiode BAW 56 Die epitaktische Silizium-Planar-Doppeldiode BAW 56 besteht aus zwei Einzeldioden mit gemeinsamer Anode. Die Diode im Kunststoffgehause 23 A3 DIN 41869 (SOT-23) findet Anwendung als schneller Schalter speziell fir Diinn- und Dickfilmschaltungen. Der Typ wird in Kurzform mit ,,A1" am Gehduse aufgestempelt. Gewicht etwa 0,02 g Typ | Stempel | Bestellnummer BAW56 | Al | 062702-A-471-F1 -+2,9 max a 19 h 95 i, | { f . K i K 5 3 00\min A jn : A 0,85max an 0,43max ma Mae in mm Grenzdaten (7y = 25C) (bezogen auf eine Diode) Sperrspannung UR 70 DurchlaBstrom Ip 100 Richtstrom (,, = 10 ms) Io 70 StoRstrom (t <1 ys) Iss 4,5 Sperrschichttemperatur 7; 1501) Umgebungstemperatur Ty -55 bis +125 Gesamtverlustleistung im Bauelement (7, = 85C?) = Prot 180 Warmewiderstand Sperrschicht- Ltstelle Renae < 350 Sperrschicht-Substratrickseite Renssr = 700 (Glassubstrat 7 x 7x1 mm*) 1) Zulassig fiir max. 500 Betriebsstunden 2) T. = Temperatur der warmsten Lotstelle 502 mA mA c c mW K/W K/W BAW 56 Statische Kenndaten (Jy = 25C) DurchlaBspannung (J- = 1 mA) Durchla&spannung (J; = 10 mA) DurchlaSspannung (J- = 50 mA) Durchla8spannung (J- = 100 mA) Sperrstrom bei U, = 70 V Sperrstrom bei U, = 70 V und 7; = 150C Sperrstrom bei U, = 25 V und 7, = 150C Dynamische Kenndaten (Ty = 25C) Kapazitat (U, = 0, f = 1 MHz) Sperrverzgerungszeit beim Umschalten von J; = 10 mA auf U, = 1V mit A, = 100 Q, gemessen bei Jp = 1 mA Sperrverzgerungsladung beim Umschalten von J; = 10 mA auf U, = 5V mit A, = 500 Q Qs C= aw . = = 0 AJ aw WA WA WA HATA TAA wogan OO A i) pF ns pAs 503 BAW 56 MeBschaltungen: MeB&schaltung fir Einschalt-Scheitelspannung: 1, 1kQ 4502 u j l Oszillograt Yen Prifling li bet,al # t Impulsgenerator: tf, =120ns V; = 0,01 Oszillograf: R = 50 Q t,=20ns. A, =5002 t, = 0,35 ns CsS1pF MeBschaltung fiir Sperrverzgerungszeit: Prufling GH) ee hl a +0% - fre te 4 ote 4+ | f th Oszillograt ft so% Up Ig=ima | J Impulsgenerator: tf, = 100ns V; = 0,05 Oszillograf: R = 50 QO t.=0,6ns A; =5002 t, = 0,35 ns U, = Unt [p+ R; C1 pF MeBschaltung fiir Sperrverzugsladung: Prifling eS ts L g | j t Ie Wo, g 4 S Oszitlograf c : 14 | Impulsgenerator: ft, = 400ns V;=0,02 Oszillograf: R = 10MQ t; = 2ns R, = 5000 CS7pF U,= Ug + Teh; D,: BAW 62 D.: sehr schnelle Diode 504 BAW 56 Max. zulassiger DurchlaBstrom Zulassiger Spitzenstrom 7 =f(T) gis Futon der Einschaltdauer % A 150 id! fe Te max Ie 5 9 100 10 \ 5 NX NMG 50 IN \ 10 \\ 5 0 1? 0 50 100 150 C oe oF wo wo? 0? wo 1s ri, +? Warmewiderstand: 1 2 3 Glassubstrat 7x7=x1mm?, 700 Kiw Keramiksubstrat 30%12%1mm?, 650 Kiw Glasfasersubstrat 3012x15mm?, 450 KW Sperrschicht - Lotstelle, alle Anschlufifahnen sind zu messen, bezogen auf die warmste, 350 k/W 505 BAW 56 DurchlaBkennlinie Tp = (Up) mA 100 I, Mittelwert | 80 60 40 20 0 05 10 SV Ur Sperrstrom als Funktion der Sperrschichttemperatur Ta = F(7;) 0 50 100 150 C 506 Durchla&spannung als Funktion der Sperrschichttemp. y Up = F(T;) 10 UF 05 0 50 100 450 C