PNP SILICON TRANSISTORS, PLANAR TRANSISTORS PNP SILICIUM, PLANAR Compl. of BD 135, BD 137 BD 136 BD 138 These transistors are intended for a wide variety of medium power complementary symetry appli- cations : Hi-Fi driver, AF output amplifier up to 5 watt, convergence circuit in color TV, vertical deviation in black and white TV. Ces transistors sont destinds 4 une large gamme dappli- cations dans le domaine des amplificateurs moyenne puissance a symtrie complmentaire notamment : driver dampli Hi-Fi, tages de sortie BF jusqua 5 W, circuit de convergence en tlvision couleur, balayage image en tlvision noir et blanc. Dissipation derating Variation de dissipation P tot (w) \ 6 L AA LA 50 100 150 1 Plastic case Boitier plastique M Weight :0,7 g. case(C} Masse PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE v -45V BD 136 CEO ~60V 8D 138 Prot 65W Reh{j-c} 10C/W max hoq_(150 mA) 40 min ty 250 MHz typ. TO-126 See outline drawing CB-16 on last pages Voir dessin cot CB-16 dernidres pages Collector is connected to case Le collecteur est reli au boitier (Untess otherwise stated) ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t.. = 25C tess othe ted VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case (Sauf indications contraires, BD 136 BD 138 Collector-base voltage Vv, _ _ Tension collecteur-base cBO 4s 60 Vv Collector-emitter voltage Vv, _ Tension collecteur-metteur CEO 45 60 Vv Emitter-base voltage Vv a _ Tension metteur-base EBO 5 5 v Collector current 1 _ _ A Courant collecteur c 0,5 0.5 Peak collector current = I _ _ Courant de crte de cofllecteur i) 10 us cM 1.5 1.5 A Power dissipation = 60 P Dissipation de puissance tcase 60C tot 6,5 6,5 Ww Junction temperature t Temprature de jonction max 3 125 125 c Storage temperature min t. 55 55 c Temprature de stockage max stg +125 +125 C 74-10 1/2 THOMSON - CSF 451 DWISON SEMICONDUCTEURS Sesmsenr BD 136, BD 138 STATIC CHARACTERISTICS t = 25C CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vern =-30V cB Ip =0 100 nA Coltector-base cut-off current { Courant rsiduel collecteur-base Vos = -80V cBO ie =8 10 uA ty) = 125C Emitter-base cut-off current Veg =75V Courant rsiduel metteur-base ' c = 0 'eBO 10 uA Collector-emitter breakdown voltage | ' =~S0mA v * | BD 136 | 45 Vv Tension de claquage collecteur-metteur 'p =0 CEO(sus) BD 138 ~60 Vv Vere = 10V CE h lo = 5mA ie 26 Static forward current transfer ratio Vv CE= ~2V (1) BD 136 40 240 Valeur statique du rapport de transfert 1 =150 mA direct du courant Cc 7 m hoo * BD 138 40 160 = 21E Voce =-2V 25 l c = 5mA . t =500 mA Collector-emitter saturation voltage c * - Tension de saturation collecteur-metteur lp =-50 mA VeEsat 0,5 v Base-emitter voltage Voce =-2V * _ Tension base-metteur ! c= 500 mA VB E 1,2 Vv DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) f Vv cE -5V Transition frequency Frquence de transition \o = 50 mA fT 250 MHz f = 100 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance . Rsistance thermique (jonction-ambiante) Rentj-a) 100 c/w Junction-case thermal resistance Ruy: Rsistance thermique (jonction-boitier) th(j-c) 10 C/W (1) Three h21E classes are available on request cl. 6 40 - 100 Trois classes de gain sont livrables sur demande ct.10 60-160 cl.16 100-240 hoy ratio for a matched pair 8D 135/BD 136 or BD 137/BD 138 h2ie1 <16 Rapport deh 27 Pour une paire BD 138/BD 136 ou BD 137/BD 138 hoy E2 * Pulsed t, =300us 6 <2% impulsions 22 452