© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
October, 2005− Rev. 14 1Publication Order Number:
BD437/D
BD435, BD437, BD439,
BD441
Plastic Medium Power
Silicon NPN Transistor
This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors can be
used for amplifier and switching applications. Complementary types
are BD438 and BD442.
Features
Pb−Free Packages are Available*
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Voltage BD435
BD437
BD439
BD441
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
32
45
60
80
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Base Voltage BD435
BD437
BD439
BD441
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VCBO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
32
45
60
80
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter−Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEBO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
4.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
36
288
ÎÎÎ
ÎÎÎ
W
W/°C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
55 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
°C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction−to−Case
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
qJC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
°C/W
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
Device Package Shipping
BD435 TO−225AA 500 Units/Box
BD437 TO−225AA 500 Units/Box
4.0 AMPERES
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
BD439 TO−225AA 500 Units/Box
BD441 TO−225AA 500 Units/Box
TO−225AA
CASE 77
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
YWW
BD4xxG
321
BD437T TO−225AA 50 Units/Rail
ORDERING INFORMATION
BD4xx = Device Code
xx = 35, 37, 37T, 39, 41
Y = Year
WW = Work Week
G = Pb−Free Package
BD435G TO−225AA
(Pb−Free) 500 Units/Box
BD437G TO−225AA
(Pb−Free) 500 Units/Box
BD437TG TO−225AA
(Pb−Free) 50 Units/Rail
BD439G TO−225AA
(Pb−Free) 500 Units/Box
BD441G TO−225AA
(Pb−Free) 500 Units/Box
BD435, BD437, BD439, BD441
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Breakdown Voltage BD435
(IC = 100 mA, IB = 0) BD437
BD439
BD441
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V(BR)CEO
Î
Î
32
45
60
80
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Base Breakdown Voltage BD435
(IC = 100 mA, IB = 0) BD437
BD439
BD441
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V(BR)CBO
Î
Î
32
45
60
80
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter−Base Breakdown Voltage
(IE = 100 mA, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V(BR)EBO
Î
5.0
ÎÎ
Î
Î
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCB = 32 V, IE = 0) BD435
(VCB = 45 V, IE = 0) BD437
(VCB = 60 V, IE = 0) BD439
(VCB = 80 V, IE = 0) BD441
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICBO
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
0.1
0.1
0.1
0.1
Î
Î
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 V)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
Î
ÎÎ
Î
1.0
Î
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain BD435
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V) BD437
BD439
BD441
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
Î
Î
40
30
20
15
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain BD435
(IC = 500 mA, VCE = 1.0 V) BD437
BD439, BD441
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
Î
85
85
40
ÎÎ
Î
475
375
475
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain BD435
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V) BD437
BD439
BD441
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
Î
Î
50
40
25
15
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Saturation Voltage
(IC = 2.0 A, IB = 0.2 V) BD435
(IC = 3.0 A, IB = 0.3 A) BD437, BD439, BD441
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.8
Î
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter On Voltage
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
Î
ÎÎ
Î
1.1
Î
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current−Gain − Bandwidth Product
(VCE = 1.0 V, IC = 250 mA, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
fT
Î
3.0
ÎÎ
Î
Î
MHz
BD435, BD437, BD439, BD441
http://onsemi.com
3
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
2.0
0
0.05
1.6
1.2
0.8
0.4
1.0 2.0 10 70 500
IC = 10 A 100 mA 1.0 A
0.1 100205.0
TJ = 25°C
3.0 300.07 300200507.00.2 0.3 0.5 0.7
3.0 A
Figure 2. Current Gain
200
00.01
180
160
80
0.1
BD439, 441
0.02 30.30.2 1 520.50.03 0.05 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
hFE, CURRENT GAIN (NORMALIZED)
BD433, 435, 437
140
120
100
60
40
20
2.0
0.005 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.6
1.2
0.8
0.6
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. “On” Voltage
0.02 0.030.05 0.1 0.2
VBE @ VCE = 2.0 V
0.01 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.
0
Figure 4. Active Region Safe Operating Area
10
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
4.0
1.0
0.1 2.0 10 20 100
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
TJ = 150°Cdc
5 ms
1.0 5.0 50
SECONDARY BREAKDOWN
THERMAL LIMIT TC = 25°C
BONDING WIRE LIMIT
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
BD437
BD439
BD441
BD435, BD437, BD439, BD441
http://onsemi.com
4
PACKAGE DIMENSIONS
TO−225AA
CASE 77−09
ISSUE Z
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 077−01 THRU −08 OBSOLETE, NEW STANDARD
077−09.
−B−
−A− M
K
FC
Q
H
V
G
S
D
JR
U
132
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010) B M
M
A
M
0.25 (0.010) B M
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.425 0.435 10.80 11.04
B0.295 0.305 7.50 7.74
C0.095 0.105 2.42 2.66
D0.020 0.026 0.51 0.66
F0.115 0.130 2.93 3.30
G0.094 BSC 2.39 BSC
H0.050 0.095 1.27 2.41
J0.015 0.025 0.39 0.63
K0.575 0.655 14.61 16.63
M5 TYP 5 TYP
Q0.148 0.158 3.76 4.01
R0.045 0.065 1.15 1.65
S0.025 0.035 0.64 0.88
U0.145 0.155 3.69 3.93
V0.040 −−− 1.02 −−−
__
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All
operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights
nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its of ficers, employees, subsidiaries, affiliates,
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal
Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free
USA/Canada
Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051
Phone: 81−3−5773−3850
BD437/D
LITERATURE FULFILLMENT:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA
Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder
For additional information, please contact your
local Sales Representative.