KBPC2500IP ... KBPC2510IP
KBPC2500IP ... KBPC2510IP
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2007-11-05
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
25 A
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
35...700 V
Plastic case – Plastikgehäuse 28.5 x 28.5 x 10 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca. 17 g
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
KBPC2500IP 35 50
KBPC2501IP 70 100
KBPC2502IP 140 200
KBPC2504IP 280 400
KBPC2506IP 420 600
KBPC2508IP 560 800
KBPC2510IP 700 1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 60 A 2)
Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 270 A
Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 300 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 375 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
28.5
±0.2
1.2
Ø 5.2
+
17
~
5
55
==
~
10
±0.2
Type
2.0
±0.5
KBPC2500IP ... KBPC2510IP
Characteristics Kennwerte
Max. current with cooling fin 300 cm²1
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm²
TA = 50°C R-load
C-load
IFAV
IFAV
25 A
20 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 12.5 A VF< 1.2 V 2)
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 25 µA
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
VISO > 2500 V
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC < 2.0 K/W
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
10-32 UNF
M5
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
1 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
2 Valid per diode – Gültig pro Diode
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
270a-(12a-1.2v)
